延期理由：   由于该项目报价供应商数量不满足要求，本项目延期至2024-04-26 15:00

项目名称：   高真空多靶磁控溅射镀膜机   项目编号：   ZBZXJJ******

公告开始日期：   2024-04-24 14:01:41   公告截止日期：   2024-04-26 15:00:00

采购单位：******大学   付款方式：   进口设备：甲方与所委托的进口代理公司签订代理进口委托协议后，�******银行账户，项目货款仅用于本进口项目的信用证或TT付汇及进口相关费用等。进口代理公司收到甲方合同货款后，按外贸合同要求及时履行与乙方委托的境外代理公司的付款义务。国产设备：甲方应在完成验收并建立固定资产后向乙方一次性支付本合同的总款项，乙方须向甲方出具合法有效完整的完税发票及凭证资料进行支付结算。

预算总价：   ￥200000.00

收货地址：  ******大学江安校区

公告说明：   由于该项目报价供应商数量不满足要求，本项目延期至2024-04-26 15:00

采购商品：   高真空多靶磁控溅射镀膜机   采购数量：   1   计量单位：   台   所属分类：   电子工业生产设备

品牌：   泰科诺

型号：   JCPS400

预算单价：   ￥200000.00

技术参数及配置要求：   主要技术参数：1.真空腔室腔体采用SUS304不锈钢制作，镀膜室内净尺寸: L440×W400×H450；方箱式，配有前、后门，前门水平滑开式，便于手套箱内操作；后门为侧开式门，用于设备清理维护；特点：镀膜室配置独立机架，可在脱离手套箱条件下单独调试，与手套箱之间通过镀膜室前门框密封连接，对接方便、密封可靠；2.真空系统复合分子泵+直联高速旋片式真空泵+高真空阀门+数显复合真空计；3.真空极限6.0×10-5Pa（设备空载，抽真空24小时）；4.升压率设备升压率：≤0.8Pa/h（12小时平均值）；设备保压：停泵12小时后，设备真空度≤10Pa；5.抽速从大气抽至5.0×10-3Pa≤15min（设备空载）；6.基片台①基片台尺寸Φ150mm，最大样品尺寸小于Φ150mm；配有基片台挡板；②旋转转速0～20转/分钟，可调可控；基片台与腔室绝缘设计，可加偏压电源；③加热:室温～500±1℃（基片台环境温度） ；PID智能温控闭环控温，可控可调。7.溅射靶及电源①配置2套3英寸永磁共焦磁控溅射靶（靶角度、靶基距手动可调），向上溅射；可以溅射磁性材料，磁控靶配有气动挡板结构；②工作方式：各靶可独立/顺次/共同工作，采用磁控靶从下向上溅射镀膜；③电源：直流脉冲溅射电源1kW，数字化控制及显示，1台；射频电源RF500W， 数字化控制及显示，1台；脉冲偏压电源：-1kV， 数字化控制及显示，1台。8.工作气路系统质量流量控制器及量程范围：Ar，100sccm；N2，10sccm；O2，10sccm；9.膜厚不均匀性≤±5%（单靶镀膜，基片台Φ120mm范围内）；10.控制方式PLC+触摸屏控制；11.报警及保护对缺水进行报警并执行相应保护措施；完善的逻辑程序互锁保护系统；设别主要配置：1.真空腔室①结构：采用立式、方形结构，前门为水平滑开式，材质为锻铝，可位于手套箱体内部；通过门框法兰与手套箱密封对接；后门带锁紧装置，在充气条件下保持腔室密闭与大气环境隔离；前开门便于蒸发材料和样片在保护环境下装卸，后开门便于真空室的清理维护；②材料及尺寸：采用304优质不锈钢， L400×W440×H450mm真空腔室；镀膜腔室（包括管道、连接法兰等）均进行清洁处理，内表面电抛等处理，以减少“出气”量，有利于真空度的提高及耐腐蚀；所有焊缝连接采用氩弧焊接技术，内表面抛光处理；③主要接口分布位置3英寸磁控溅射靶及挡板接口位于腔室底部；基片台接口、基片台挡板接口、DN10mm电磁放气阀接口、基片台加热器组件接口等从腔室顶部引入；DN150mm抽气管道接口位于腔室左侧；④预留接口：用于功能升级或其它用途；⑤φ100 mm观察窗，配磁力挡板，安装于前后门上；⑥腔室防污屏蔽板采用优质不锈钢材质，便于拆卸清理、更换等。2.基片台功能：实现对样品旋转均匀镀膜，对样品均匀加热除气，通过样品台绝缘设计，可加载负偏压对样品进行离子轰击，清洁样品表面，提供膜基结合力；①基片台：不锈钢抽屉式结构，基片台尺寸Φ150mm，最大样品尺寸小于Φ150mm；可从基片架组件中取出，方便用户安装基片；②配有气动基片台挡板；③配备通用夹具，方便用户装卡各种不同规格尺寸的基片；④绝缘装置：绝缘设计及绝缘件；⑤基片台电机驱动：旋转转速0～20转/分钟，连续可调；主轴磁流体密封；⑥加热：基片台环境温度500℃，采用铠装加热器及绝缘、屏蔽等，具有真空条件下加热快、抗氧化、寿命长等优点；采用功率调整器和PID可编程智能温度控制仪方式，可以设定分段升温,速率、保持温度、保持时间；通过热电偶的反馈信号，实现加热温度自动控制；⑦预留腔室环境加热接口。3.溅射靶及电源①2只3英寸磁控溅射靶，靶角度、靶基距手动可调，永磁间接水冷方式，兼容直流、脉冲、射频等电源；②靶基距调整范围80～110mm，方便调整最佳镀膜距离；可溅射磁性材料，镍靶材3.0㎜厚，非磁性材料5㎜厚；③各溅射靶配独立挡板，防止交叉污染；④电源：直流脉冲溅射电源1kW，数字化控制及显示，1台；射频电源RF500W， 数字化控制及显示，1台；脉冲偏压电源：-1kV， 数字化控制及显示，1台。4.真空系统①真空机组采用“复合分子泵+直联高速旋片式真空泵”组合的真空系统；②复合分子泵：抽速700L/s；③直联高速旋片式真空泵：抽速9L/s；④前级/旁路阀：DN40，气动挡板阀；主阀：DN150，气动插板阀；放气阀：φ10，电磁截止阀；⑤真空测量：“两低一高”数显复合真空计；两低一高是指两只电阻规测量低真空，一只电离规测量高真空；测量范围：从1.0×105Pa到1.0×10-5Pa； ⑥波纹管材质：SUS304不锈钢；真空密封：常拆卸密封采用氟橡胶圈密封，不常拆卸密封采用金属密封。5.工作气路系统①质量流量控制器及量程范围：Ar，100sccm；N2，10sccm；O2，10sccm；②电磁截止阀：Φ6mm ；③混气管：三进一出；④气管：EP管道，内外抛光金属管。6.水路系统①给分子泵、磁控靶配备独立的进、出水，可保证设备长时间稳定运行；②总进水设有检测水温水压装置，检测水温水压状态，执行异常报警；③总进、出水采用标准的水路宝塔接口连接用户现场供水系统。7.气路系统①电接点压力表，用于气体压力保护报警；②气排，用于各阀门之间分气使用。8..电气控制系统①电气控制系统：采用PLC+触摸屏控制系统，可实现自动一键式抽真空，蒸发镀膜电源采用手动控制，以方便用户进行镀膜工艺参数的摸索； ②控制内容：分子泵、机械泵、阀门开关；分子泵电源参数显示及开关控制；真空计参数显示及控制；基片台转速显示和控制；③安全保护报警系统：在缺水、水压过低等情况下的报警系统；完善的逻辑程序互锁保护系统。9.控制柜与机架机架和控制柜一体化设计，碳钢制作，表面喷塑处理，支撑真空腔体、真空系统及电气控制系统，底下配脚轮，方便移动、定位。

售后服务：   服务年限:24月;电话支持:7x24小时;商品承诺:原厂全新未拆封正品;质保期:两年;